[发明专利]集成电路存储器器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810144565.1 | 申请日： | 2008-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101373774A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 姜熙秀;李忠浩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/12;H01L21/8247;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 通过在从集成电路衬底延伸出不同距离的相邻半导体基架上形成存储器单元的相邻行，可减小集成电路衬底上存储器单元的相邻行中的耦合。还公开了包括不同基架高度的NAND闪速存储器器件和集成电路存储器器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路存储器器件，包括：集成电路衬底；从所述衬底延伸出的多个半导体基架，所述半导体基架具有远离所述衬底的半导体顶部，至少两个相邻半导体基架具有不同高度，以便使所述至少两个相邻半导体基架的半导体顶部离开衬底不同的距离；和在具有不同高度的所述至少两个相邻半导体基架中相应半导体基架上的相应的存储器单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
