[发明专利]一种高导热率氮化铝陶瓷基片的制作方法

摘要

本发明技术涉及微电子封装材料领域，尤其涉及一种高导热率氮化铝陶瓷基片的制作方法。其选用高纯氮化铝粉为原料，高纯度氮化铝粉平均粒径为1～1.5μm，加入2～4.4wt％的氧化钇作为烧结助剂，再加入粘接剂、增塑剂和有机熔剂，经球磨分散后形成浆料，再进行流延成型；冲压成型，将坯片敷上氮化铝粉，10－15片叠层，将叠层的氮化铝坯片放入氮化硼坩埚，然后洒上氮化铝和氮化硼混合粉，于500℃下排胶，然后升温至1850℃进行烧结，之后随炉冷却，最后除粉抛光，即得到氮化铝陶瓷基片。其有益效果是：1.可以大大提高生产效率，可提高产品品质；2.改善氮化铝陶瓷基片烧结的氛围，得到一致性好的烧结品，并增加产量；3.减少氮化硼坩埚的用量，增加装烧量，节约能源成本。

主权项

1、一种高导热率氮化铝陶瓷基片的制作方法，其选用高纯氮化铝粉为原料，在氮化铝粉中加入烧结助剂，再加入粘接剂、增塑剂和有机溶剂，经球磨分散后形成均匀稳定的浆料，再进行流延成型为薄片；本发明的特征在于：先将流延成型的薄片冲压成坯片，再将同样大小的坯片上敷上氮化铝粉，10-15片叠层，将叠层的氮化铝坯片放入氮化硼坩埚，然后在氮化铝坯片周围洒上氮化铝和氮化硼混合粉覆盖烧结；先进行排胶，然后升温进行烧结工序，之后随炉冷却，最后将冷却后的氮化铝陶瓷片进行除粉抛光，得到高热导率氮化铝陶瓷基片。