[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：形成在半导体衬底上的栅极图案，形成在位于栅极图案一侧的半导体衬底中的第一掺杂区域和形成在位于栅极图案另一侧的半导体衬底中的第二掺杂区域，部分覆盖第一掺杂区域或第二掺杂区域的自对准多晶硅化物屏蔽膜图案，形成在半导体衬底上的绝缘膜，该绝缘膜包括暴露自对准多晶硅化物屏蔽膜图案的第一孔和部分地暴露没有被自对准多晶硅化物屏蔽膜图案覆盖的第一掺杂区域或第二掺杂区域的第二孔，以及穿过第一孔与自对准多晶硅化物屏蔽膜图案接触的第一线。

主权项

1.一种半导体器件，包括：栅极图案，形成在半导体衬底上；第一掺杂区域，形成在位于所述栅极图案一侧的所述半导体衬底中，和第二掺杂区域，形成在位于所述栅极图案另一侧的所述半导体衬底中；自对准多晶硅化物屏蔽膜图案，部分地覆盖所述第一掺杂区域或所述第二掺杂区域；绝缘膜，形成在所述半导体衬底和自对准多晶硅化物屏蔽膜图案上，所述绝缘膜包括第一孔和第二孔，所述第一孔暴露所述自对准多晶硅化物屏蔽膜图案，所述第二孔部分地暴露没有被所述自对准多晶硅化物屏蔽膜图案部分覆盖的所述第一掺杂区域或所述第二掺杂区域；以及第一线，穿过所述第一孔与所述自对准多晶硅化物屏蔽膜图案接触。