[发明专利]GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法无效
| 申请号： | 200810130233.8 | 申请日： | 2008-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN101345221A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 笠井仁;石桥惠二;中畑成二;秋田胜史;京野孝史;三浦祥纪 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/20;H01L33/00;H01S5/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 梁晓广;陆锦华 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法。提供一种GaN衬底，由该GaN衬底可以制造增强发射效率的发光及半导体器件，提供其中在GaN衬底主表面上形成外延层的外延衬底、半导体器件以及制造GaN衬底的方法。该GaN衬底是具有主表面的衬底，相对于其法线矢量，[0001]平面取向在两个不同的离轴方向上倾斜。 | ||
| 搜索关键词： | gan 衬底 外延 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有主表面的GaN衬底，其中：相对于垂直于所述主表面的矢量，[0001]平面取向在彼此不同的两个离轴方向上倾斜。
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