[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200810125110.5 | 申请日： | 2008-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101325162A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 冈本悟 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/84;H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种半导体装置以及其制造方法，在该半导体装置中，防止起因于设置为岛状的半导体层的端部的缺陷，而提高可靠性。本发明的半导体装置的制造方法包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成岛状半导体层；进行第一变质处理，在所述岛状半导体层的表面形成第一绝缘膜；去掉所述第一绝缘膜；对去掉了所述第一绝缘膜的所述岛状半导体层进行第二变质处理，在该岛状半导体层的表面形成第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜上形成导电层，其中通过所述第一变质处理和所述第二变质处理，使所述岛状半导体层的上端部具有圆度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成岛状半导体层；通过进行第一变质处理，在所述岛状半导体层的表面形成第一绝缘膜；去掉所述第一绝缘膜；通过对去掉了所述第一绝缘膜的所述岛状半导体层进行第二变质处理，在该岛状半导体层的表面形成第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜上形成导电层，其中，通过所述第一变质处理和所述第二变质处理，使所述岛状半导体层的上端部具有圆度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
