[发明专利]图形转移方法有效
| 申请号： | 200810112514.0 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101587304A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 刘畅;崔彰日 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/26 | 分类号： | G03F7/26;G03F7/36;G03F7/20;G03F7/38;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种图形转移方法，包括步骤：提供具有若干掩膜层的半导体基底，离半导体基底最远且未被刻蚀的掩膜层上具有光刻胶层，所述光刻胶含有感光成酸剂和对烷基苯氧基甲酸树酯；将目标图形曝光至光刻胶层，形成具有半导体器件图形的光刻胶层，且光刻胶层上半导体器件图形的深度小于光刻胶层的厚度；用硅烷化剂对具有目标图形的光刻胶层表面进行硅烷化处理，在光刻胶层上形成具有目标图形形状的抗等离子刻蚀层；以光刻胶层上的抗等离子刻蚀层为掩膜，对光刻胶层进行等离子刻蚀至暴露掩膜层；以抗等离子刻蚀层或光刻胶层为掩膜，刻蚀掩膜层。本发明不需要在被刻蚀的表面涂覆抗反射层，避免抗反射层涂布不平整，从而避免光刻胶层形成的图形线条结构不稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 转移 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图形转移方法，其特征在于，包括以下步骤：提供具有至少一个掩膜层的半导体基底，离半导体基底最远且未被图形化的掩膜层上具有光刻胶层，所述光刻胶层含有感光成酸剂和对烷基苯氧基甲酸树酯；通过曝光形成图形化光刻胶层，且图形化光刻胶层上的图形深度小于光刻胶层厚度；使用硅烷化剂对图形化光刻胶层表面进行硅烷化处理，使图形化光刻胶层上被曝光部分转变为图形化抗等离子刻蚀层；以图形化抗等离子刻蚀层为掩膜，对图形化光刻胶层进行等离子刻蚀至暴露掩膜层；以图形化抗等离子刻蚀层或图形化光刻胶层为掩膜，刻蚀掩膜层。
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