[发明专利]利用双向非对称缓冲器结构提高性能的LDO电路有效
| 申请号： | 200810106000.4 | 申请日： | 2008-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101281410A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 沈良国;严祖树;赵元富;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;中国航天时代电子公司第七七二研究所;北京大学 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 | 代理人： | 安丽 |
| 地址： | 100076北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 利用双向非对称缓冲器结构提高性能的LDO电路，采用双向非对称缓冲器结构同时提供具有信号反向功能的反馈通路和具有信号同向功能的前向通路，反馈通路用于实现LDO电路的频率补偿并提高瞬态响应性能，前向通路用于抵消由LDO传输元件的栅漏寄生电容产生的右半平面零点，从而改善系统的稳定性，拓展单位增益带宽。该电路具有结构简单、功耗低、能够有效消除右半平面零点等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 双向 对称 缓冲器 结构 提高 性能 ldo 电路 | ||
【主权项】：
1、利用双向非对称缓冲器结构提高性能的LDO电路，包括缓冲级(401)、第一反向增益级(101)以及LDO传输元件(201)；缓冲级(401)的输入端为信号输入端，缓冲级(401)的输出端与第一反向增益级(101)的输入端相连，第一反向增益级(101)的输出端与LDO传输元件(201)的输入端相连，LDO传输元件(201)的输出端为LDO电路的信号输出端，LDO传输元件(201)的栅漏寄生电容Cgd(202)并联于LDO传输元件(201)的输入端和输出端，其特征在于：在缓冲级(401)的输出端与LDO传输元件(201)的输出端之间还并联有双向非对称缓冲器，所述的双向非对称缓冲器可同时提供具有信号反向功能的反馈通路和具有信号同向功能的前向通路，反馈通路用于实现LDO电路的频率补偿并提高瞬态响应性能；前向通路用于抵消由LDO传输元件(201)的栅漏寄生电容Cgd(202)产生的右半平面零点，从而改善系统的稳定性，拓展单位增益带宽，抵消方式包括完全消除所述右半平面零点、将所述右半平面零点转化为左半平面零点、增加所述右半平面零点的频率。
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