[发明专利]金属反射壁的制造方法有效
| 申请号： | 200810099163.4 | 申请日： | 2008-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101308800A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 竹本理史;高桥秀二;若松富夫;小川义辉 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社;富士机工电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种金属反射壁的制造方法，其包括在金属板上形成空腔结构的工序，其中，在上述金属板的背面层叠形成有叠层基板，上述空腔结构的侧壁为反射壁；上述工序包括第一步骤和第二步骤，在第一步骤中，在上述金属板的正面形成掩膜材料，该掩膜材料具有与上述空腔结构的开口部对应的掩膜开口部；在第二步骤中，根据上述掩膜材料的图形对上述金属板实施湿法蚀刻从而在该金属板的侧壁形成反射壁；在上述第二步骤的进行湿法蚀刻的过程中，进一步通过挤压加工沿着由上述湿法蚀刻所形成的反射壁折弯上述第一掩膜。由此，即使发光元件的短边侧的宽度变小，也能够确保LED芯片搭载面的区域和金属反射壁的厚度，从而稳定地形成金属反射壁。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 反射 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属反射壁的制造方法，其特征在于：包括在金属板上形成空腔结构的工序，其中，在上述金属板的背面层叠形成有基板，上述空腔结构的侧壁为反射壁；上述工序包括第一步骤和第二步骤，其中，在第一步骤中，在上述金属板的正面形成第一掩膜，该第一掩膜具有与上述空腔结构的开口部对应的掩膜开口部；在第二步骤中，根据上述第一掩膜对上述金属板实施湿法蚀刻从而在该金属板的侧壁形成反射壁；在上述第二步骤中，在进行上述湿法蚀刻的过程中，进一步通过挤压加工沿着由上述湿法蚀刻所形成的反射壁折弯上述第一掩膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社;富士机工电子株式会社，未经夏普株式会社;富士机工电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810099163.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
