[发明专利]可控的退火方法有效
| 申请号： | 200810098037.7 | 申请日： | 2008-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101431005A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·迈克尔·拉内什;巴拉苏布若门尼·拉马钱德伦;拉维·加勒巴利;森德·拉马默蒂;韦达普兰姆·S·阿楚坦拉曼;布赖恩·埃丝;亚伦·亨特;沃尔夫冈·阿德霍尔德 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/316;H01L21/324;G05B19/04 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种可控的退火方法，其是一种快速热退火的方法。当衬底插入退火腔室中，由于来自腔室元件的热辐射使得衬底开始加热，腔室元件在衬底退火之前加热。因此，由于整个衬底的温度梯度，当衬底插入时衬底前缘可以为较高的温度，而衬底的后缘为室内温度。一旦衬底完全插入到退火腔室，温度梯度仍存在。通过在整个衬底补偿温度梯度，可以均匀退火衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 可控 退火 方法 | ||
【主权项】：
1、一种退火方法，包括：检测位于腔室中的多个灯下方的衬底的温度变化；以及根据检测到的温度，通过控制从每一个灯发出的热量来退火衬底，从而所述退火在所述整个衬底达到均匀温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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