[发明专利]半导体检查系统和设备无效
| 申请号： | 200810096694.8 | 申请日： | 2008-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101266222A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | J·A·豪索尔尼;M·布兰登·斯蒂勒;杨业元;M·舒尔泽 | 申请（专利权）人： | Q概念技术公司 |
| 主分类号： | G01N27/02 | 分类号： | G01N27/02;G01N27/20;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种利用非振动接触电位差传感器和可控照明的半导体检查系统和设备，用于识别半导体表面或半导体内的缺陷或污染。该方法和系统包括：提供具有表面的半导体，例如半导体晶片；提供非振动接触电位差传感器；提供具有可控的强度或波长分布的照明源；在非振动接触电位差传感器探针头下方或附近使用该照明源来提供晶片表面的可控照明；在可控照明照射时用非振动接触电位差传感器扫描晶片表面；产生代表横跨晶片表面的接触电位差变化的数据；以及处理该数据以识别缺陷或污染的图案特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 检查 系统 设备 | ||
【主权项】：
1、一种检测半导体晶片的不均匀性的方法，包括如下步骤：提供包括具有晶片表面的晶片的半导体；提供具有探针头的接触电位差传感器；提供与晶片表面相关的照明能量源；提供用来提供可变的照明的机构；在包括位于接触电位差传感器探针头附近的采样区域的晶片表面区域引导照明能量；当用照明能量照射半导体的表面时，扫描与接触电位差传感器基本上平行的晶片表面；当传感器探针头横跨晶片表面基本上平行地扫描时，产生表示传感器探针头和晶片表面之间的接触电位差的变化的传感器数据；以及处理接触电位差传感器数据以检测表示不均匀性的图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于Q概念技术公司，未经Q概念技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810096694.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
