[发明专利]发光二极管无效
申请号: | 200810092648.0 | 申请日: | 2008-04-22 |
公开(公告)号: | CN101295760A | 公开(公告)日: | 2008-10-29 |
发明(设计)人: | 海野恒弘 | 申请(专利权)人: | 日立电线株式会社 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钟晶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种高效率且能大电流通电的发光二极管。在由活性层(14)和从两侧夹住该活性层(14)的下部包覆层(13)及上部包覆层(15)构成的AlGaInP系化合物半导体层的上侧,设置圆形状的引线接合用电极(19)和与其连接的十字形的电流分散用枝状电极(18),在电流分散用枝状电极(18)上连接有电流注入用接触电极(17),在AlGaInP系化合物半导体层的下侧设置电流注入用界面接触电极(12),在电流注入用界面用接触电极(12)的下面设有光反射镜层(10)。电流注入用界面接触电极(12)设置在引线接合用电极(19)的正下方的外周部或其附近区域。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管,其特征在于,包括:含有活性层的化合物半导体层;与上述化合物半导体层接合的导电性衬底;设置于上述化合物半导体层的表面,使电流在面方向上分散的第一电极;设置于上述化合物半导体层的上述活性层与上述导电性衬底的接合部之间的光反射镜层;设置于上述光反射镜层的活性层形成侧,设置在上述第一电极的外周部或其近旁的正下方区域的至少1个第二电极;以及设置于与上述导电性衬底和上述化合物半导体层接合侧的面相反一侧的背面的背面电极。
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