[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 200810092648.0 | 申请日： | 2008-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101295760A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 海野恒弘 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
含有活性层的化合物半导体层；
与上述化合物半导体层接合的导电性衬底；
设置于上述化合物半导体层的表面，使电流在面方向上分散的第一电极；
设置于上述化合物半导体层的上述活性层与上述导电性衬底的接合部之间的光反射镜层；
设置于上述光反射镜层的活性层形成侧，设置在上述第一电极的外周部或其近旁的正下方区域的至少1个第二电极；以及
设置于与上述导电性衬底和上述化合物半导体层接合侧的面相反一侧的背面的背面电极。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：上述化合物半导体层是AlGaInP系或AlGaInN系。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：上述化合物半导体层在上述第一电极的形成侧形成电极的部分以外的区域具有凹凸。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：上述第一电极是由极板电极和层叠在上述极板电极上的枝状电极构成的。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：上述枝状电极，从上述化合物半导体层的上述表面的中央开始被放射状设置。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：上述第一电极是由极板电极和层叠在上述极板电极上的透明电极构成的。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：上述第一电极与设置于上述化合物半导体层上的环状的电流注入用接触电极连接。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：上述第二电极设置成整体为环状。
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