[发明专利]发光二极管无效
申请号: | 200810092648.0 | 申请日: | 2008-04-22 |
公开(公告)号: | CN101295760A | 公开(公告)日: | 2008-10-29 |
发明(设计)人: | 海野恒弘 | 申请(专利权)人: | 日立电线株式会社 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钟晶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
技术领域
本发明涉及一种高效且能大电流通电的发光二极管。
背景技术
发光二极管由于从红色到蓝色全色齐全,被积极地尝试着用于照明。但是,为了将发光二极管普及用于照明,需要解决两个问题。首先,要将发光二极管的效率从白炽灯级别提高到荧光灯级别的转换效率。其次,为了用少数的发光二极管得到与灯泡或荧光灯同等的亮度,要在1个发光二极管上通过大电流。
但是,在发光二极管上通过大电流后会发热,热会导致效率降低和可靠性降低。避免其发生的第一个方法是尽量不产生热,第二个方法是使产生的热迅速扩散,防止温度上升。
首先,为了尽量不产生热,要提高发光二极管的发光效率,尽量使电能转换成光而取出。为了提高发光二极管的转换效率,要尽量提高使注入的电子和空穴有效再结合的效率即内部量子效率,以及提高用于从发光二极管的芯片内取出发出的光的光取出效率。
其次,作为使热扩散的方法,例如有:将作为发热部分的发光层尽量接近安装基座来配置,使在发光层上产生的热有效地扩散到安装基座的方法,或在发光层与安装基座之间的衬底上使用热阻低的材料物的方法。
一般来说,发光二极管在光输出面上设置大面积的上部电极(上侧电极),与此相应,由于包含在发光层中的活性层同样发光,所以上部电极会妨碍在位于上部电极的正下方区域的活性层上发出的光,不能将活性层产生的光全部取出到外部。
作为避免该问题发生的发光元件有例如专利文献1、2所示的发光元件。专利文献1的发光元件是在上部电极的下部形成使电流不流动的绝缘层。由此,能够使电流分散在上部电极的周围,抑制上部电极的正下方的发光。
另外,专利文献2的发光元件是将用于电传导的部分电极配置在上部电极以外的区域。
专利文献1:JP特开2001-144322号公报
专利文献2:美国专利第6784462B2号说明书
发明内容
但是,根据现有的发光二极管,即使在专利文献1、2所示的元件构造中,在上述的发光部分的下方有导电性电极,由于在该导电性电极上会产生光吸收,所以不能得到很高的发光效率。
因此,本发明的目的在于提供高效且能大电流通电的发光二极管。
为了达到上述目的,本发明提供一种发光二极管,包括:含有活性层的化合物半导体层;与上述化合物半导体层接合的导电性衬底;设于上述化合物半导体层的表面,使电流在面方向上分散的第一电极;设于上述化合物半导体层与上述活性层和上述导电性衬底的接合部之间的光反射镜层;设于上述光反射镜层的活性层形成侧,设置在上述第一电极的外周部或其近旁的正下方区域的至少1个第二电极;以及设于与上述导电性衬底和上述化合物半导体层接合侧的面相反一侧的背面的的背面电极。
根据本发明,能够得到高效且能大电流通电的发光二极管。
附图说明
图1是显示本发明的第一实施方式所涉及的发光二极管的剖视图。
图2是图1的发光二极管的主视图。
图3是显示图1的发光二极管的电流注入用界面接触层的主视图。
图4是显示第一实施方式所涉及的发光二极管的光反射的说明图。
图5是显示比较例的剖视图。
图6是用于说明比较例的问题点的说明图。
图7是显示本发明的第二实施方式所涉及的发光二极管的剖视图。
图8是显示本发明的第三实施方式所涉及的发光二极管的剖视图。
图9是显示本发明的第四实施方式所涉及的发光二极管的剖视图。
图10是显示本发明的第五实施方式所涉及的发光二极管的剖视图。
图中,
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