[发明专利]纳米硅异质结双向隧穿二极管无效
| 申请号： | 200810091862.4 | 申请日： | 2008-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101257050A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 韦文生 | 申请（专利权）人： | 韦文生 |
| 主分类号： | H01L29/88 | 分类号： | H01L29/88;H01L29/04 |
| 代理公司： | 温州瓯越专利代理有限公司 | 代理人： | 王阿宝 |
| 地址： | 325000浙江省温州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米硅异质结双向隧穿二极管，包括单晶硅基片、电极、沉积于单晶硅基片上的纳米硅薄膜，该纳米硅薄膜包括嵌在氢化非晶形硅组织中的纳米硅晶粒，所述纳米硅薄膜和构成纳米硅/单晶硅异质结构，其特征是所述的纳米硅晶粒粒径为4－6nm，且不同纳米硅晶粒的粒径大小相接近。本发明不仅具有正向偏压下带间隧穿引起的微分负阻效应，同时还具有反向偏压下多个纳米晶粒的量子化能级的顺序共振隧穿现象，另外反向击穿电压得到极大提高，达到－37V以上。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 硅异质结 双向 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种纳米硅异质结双向隧穿二极管，包括单晶硅基片、电极、沉积于单晶硅基片上的纳米硅薄膜，该纳米硅薄膜包括嵌在氢化非晶形硅组织中的纳米硅晶粒，所述纳米硅薄膜和构成纳米硅/单晶硅异质结构，其特征是所述的纳米硅晶粒粒径为4-6nm，且不同纳米硅晶粒的粒径大小相接近。
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