[发明专利]压力接触构造的功率半导体模块以及其制造方法有效
申请号: | 200810090904.2 | 申请日: | 2008-04-01 |
公开(公告)号: | CN101281890A | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
发明(设计)人: | J·施特格;F·艾伯斯伯格 | 申请(专利权)人: | 塞米克朗电子有限及两合公司 |
主分类号: | H01L23/40 | 分类号: | H01L23/40;H01L23/051 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 俞海舟 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 压力接触构造的功率半导体模块,用于设置在一个冷却构件上。功率半导体模块包括:至少有一个基板(12),所述基板具有印制导线和功率半导体构件(20);组装基体(22),在该组装基体的下侧(24)上设置所述至少一个基板(12),并且该组装基体构成有凹部(26),所述凹部设置用于贯穿与所述至少一个基板(12)的印制导线(18)压力接触的接触脚(28),所述接触脚从彼此绝缘的带部段(30)伸出,利用所述带部段构成负载接头元件;形状稳定的刚性的盖板(48),该盖板全方位覆盖组装基体(22)并且借助于快速卡槽连接(58,60)与组装基体(22)相连接;至少一个垫子(42),所述垫子挤紧在盖板(48)和负载接头元件(38)的带部段(30)之间。 | ||
搜索关键词: | 压力 接触 构造 功率 半导体 模块 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.压力接触构造的功率半导体模块,用于设置在一个冷却构件上,包括:至少有一个基板(12),所述基板在其背离冷却构件的上侧(16)上具有印制导线和功率半导体构件(20);组装基体(22),在该组装基体的下侧(24)上定位地设置所述至少一个基板(12),并且该组装基体构成有凹部(26),所述凹部设置用于贯穿与所述至少一个基板(12)的印制导线(18)压力接触的接触脚(28),所述接触脚从彼此绝缘的带部段(30)伸出,利用所述带部段构成负载接头元件,所述负载接头元件定位地设置在组装基体(22)上;形状稳定的刚性的盖板(48),该盖板定位地全方位覆盖组装基体(22)并且借助于快速卡槽连接(58,60)与组装基体(22)相连接,并且该盖板构成有紧固孔(52),用于将功率半导体模块(10)固定在冷却构件上;至少一个配备给所述/每个基板(12)的弹性的垫子(42),所述垫子挤紧在盖板(48)和负载接头元件(38)的带部段(30)之间。
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