[发明专利]一种改善碳化硅陶瓷生产设备高磨损的方法无效
| 申请号： | 200810089306.3 | 申请日： | 2008-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101260516A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 潘吉庆 | 申请（专利权）人： | 北京创导奥福精细陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/32 | 分类号： | C23C16/32;C23C18/12;C23C4/10 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 101109*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及“一种改善碳化硅陶瓷生产设备高磨损的方法”，属特种陶瓷加工领域。一种改善碳化硅陶瓷生产设备高磨损的方法，其特征在于：在与碳化硅泥料接触的设备、模具表面附着一层高硬度合金材料或是高硬度陶瓷材料镀层，提高设备、模具表面的硬度。本发明同时还在泥料中加入调合助剂和有机粉料，使泥料硬度降低，表面光滑，因此泥料在挤出时，摩擦力降低，减少了对设备、模具的磨损。采用上述方法后，设备、模具的使用寿命大大提高了。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 碳化硅 陶瓷 生产 设备 磨损 方法 | ||
【主权项】：
1、一种改善碳化硅陶瓷生产设备高磨损的方法，其特征在于：在与碳化硅泥料接触的设备、模具表面附着一层高硬度合金材料或是高硬度陶瓷材料镀层。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
