[发明专利]一种金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法无效
| 申请号： | 200810088021.8 | 申请日： | 2008-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101546708A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 徐国冉;陈立轩 | 申请（专利权）人： | 和舰科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/321;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张春媛 |
| 地址： | 215025江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造工艺技术领域，且特别涉及一种金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法。本发明的金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法包括下列步骤：步骤1，通过金属蚀刻机台蚀刻掉部分含有粒子的金属薄膜层；步骤2，通过化学机械研磨机台研磨经步骤1后剩余的金属薄膜层和粒子，将其一起除去；步骤3，重新沉积金属薄膜层及各相关层。通过本发明的方法，可使得达到报废标准的晶片的粒子率恢复到正常水平，从而减少报废，提升产品的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 沉积 薄膜 粒子 重新 加工 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法，其特征在于包括下列步骤：步骤1，通过金属蚀刻机台蚀刻掉部分含有粒子的金属薄膜层；步骤2，通过化学机械研磨机台研磨经步骤1后剩余的金属薄膜层和粒子，将其一起除去；步骤3，重新沉积金属薄膜层及各相关层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
