[发明专利]基板处理方法无效
| 申请号： | 200810084739.X | 申请日： | 2008-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101266921A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 金镇佑 | 申请（专利权）人： | PSK有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李雪春;武玉琴 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理方法。把装在处理室内的基板放置在支撑阳极上。然后将处理室与外部隔断，并把处理室内部的压力增加到既定压力。在既定压力下使基板的温度稳定在一定温度，再把处理室内的压力减小到处理压力。一旦在处理室内完成对基板的处理，就把基板卸到处理室的外部。使处理室内部的压力增加的方法包括提供净化气体的方法和提供处理气体的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理方法，其特征在于，包括以下步骤：把基板装到处理室内；向所述处理室提供用于对所述基板进行处理的处理气体，把所述处理室内的压力增加到既定压力，并使所述基板的温度稳定；把所述处理室内的压力减小到处理压力，对所述基板进行处理；把所述基板卸到所述处理室的外部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
