[发明专利]基板处理方法无效
| 申请号： | 200810084739.X | 申请日： | 2008-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101266921A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 金镇佑 | 申请（专利权）人： | PSK有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李雪春;武玉琴 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
1.一种基板处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
把基板装到处理室内；
向所述处理室提供用于对所述基板进行处理的处理气体，把所述处理室内的压力增加到既定压力，并使所述基板的温度稳定；
把所述处理室内的压力减小到处理压力，对所述基板进行处理；
把所述基板卸到所述处理室的外部。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述处理气体包括蚀刻气体或清洗气体。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，对所述基板进行处理的步骤还包括以下步骤：
在所述处理室内形成电场的状态下，向所述处理室内提供所述处理气体，生成等离子体，并用生成的等离子体对所述基板进行处理。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，对所述基板进行处理的步骤还包括以下步骤：
对所述基板进行加热，去除在所述基板上部表面上形成的处理副产物。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述既定压力为2666.45Pa，所述处理压力为133.32Pa。
6.一种基板处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
把基板装在第一室内；
向所述第一室提供用于对所述基板进行处理的处理气体，把所述第一室内的压力增加到既定压力，并使所述基板的温度稳定；
把所述第一室内的压力减小到处理压力，对所述基板进行第一处理；
把所述基板卸到所述第一室的外部，并装到第二室内；
把所述第二室内的压力增加到既定压力，并使所述基板的温度稳定；
把所述第二室内的压力减小到处理压力，对所述基板进行第二处理；
把所述基板卸到所述第二室的外部。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，在所述第一室内对所述基板进行第一处理的步骤还包括以下步骤：
在所述第一室内形成电场的状态下，向所述第一室内提供所述处理气体，生成等离子体，并用生成的等离子体对所述基板进行处理。
8.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，在所述第二室内对所述基板进行第二处理的步骤还包括以下步骤：
对所述基板进行加热，去除在所述基板上部表面上形成的处理副产物。
9.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，所述处理气体包括蚀刻气体或清洗气体。
10.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，所述既定压力为2666.45Pa，所述处理压力为133.32Pa。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
