[发明专利]基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理方法，特别是涉及放置在阳极(plate)上的基板的处理方法。

背景技术

蒸镀在晶片表面上的薄膜，可以利用蚀刻有选择地去除，并在晶片表面上形成所希望的图案。在半导体制造过程中会反复进行这种处理。此外，不仅针对蒸镀的膜，为了生成沟槽(trench)，也可以对硅基板本身进行蚀刻。薄膜可以包括光致抗蚀剂(photoresist)、氧化硅膜或氮化硅膜等不同的薄膜。氧化膜或氮化膜与光致抗蚀剂相比会提供更良好的蚀刻条件。

下面，对一般的等离子体蚀刻装置进行说明。将处理气体提供到室内，一旦在两个电极之间形成电场，则一部分气体原子被离子化，生成阳离子和自由电子，形成等离子体。在等离子体蚀刻装置中，由以13.56MHz动作的高频发生器提供能量。

等离子体蚀刻的两个主要素是自由基和离子。自由基具有不饱和键，为电中性。因此，自由基因不饱和键而具有非常大的反应性能，与晶片上的物质主要通过化学的作用发生反应。但离子带有电荷，并因电位差向一定的方向加速，它与晶片上的物质主要通过物理的作用发生反应。

另一方面，晶片被装在室内，放置在设置于室内的卡盘上。把晶片的温度条件调节到适合处理的条件，如果温度条件满足就开始处理。不过在以上所述的一般装置中存在一些问题。

为了提高处理的精度，必须准确地调节处理条件，其中晶片的温度条件非常重要。在晶片离开卡盘的状态下，提供给室内的气体分子具有作为晶片和卡盘之间的温度传递介质的功能。因此，调节晶片的温度非常困难，特别是在高真空状态下进行处理时，由于室内存在的气体分子非常少，这种问题就变得更严重。

为了解决此问题，有时向晶片的后面喷射氦气，但在这种情况下要求有另外固定晶片的装置。以往使用的是机械式夹具或静电卡盘，但机械式夹具不能使晶片均匀受力，存在产生微粒(particle)的缺点。此外在使用静电卡盘的情况下，装置的结构变得复杂，生产费用增加，此外在进行处理时，必须要有卡住或脱开的过程。

发明内容

鉴于所述的问题，本发明的目的在于提供一种可以容易地调节晶片的温度条件的基板处理方法。

本发明另一个目的在于提供可以确保晶片的温度均匀度的基板处理方法。

本发明其他的目的通过下述的详细说明和附图会更清楚。

为达到所述的目的，本发明提供的基板处理方法包括以下步骤：把基板装到处理室内；向所述处理室提供用于对所述基板进行处理的处理气体，把所述处理室内的压力增加到既定压力，并使所述基板的温度稳定；把所述处理室内的压力减小到处理压力，对所述基板进行处理；把所述基板卸到所述处理室的外部。

所述处理气体可以包括蚀刻气体或清洗气体。

对所述基板进行处理的步骤可以包括以下步骤：在所述处理室内形成电场的状态下，向所述处理室内提供所述处理气体，生成等离子体，并用生成的等离子体对所述基板进行处理。

对所述基板进行处理的步骤还可以包括以下步骤：对所述基板进行加热，去除在所述基板上部表面上形成的处理副产物。

本发明还提供一种基板处理方法，其包括以下步骤：把基板装在第一室内；向所述第一室提供用于对所述基板进行处理的处理气体，把所述第一室内的压力增加到既定压力，并使所述基板的温度稳定；把所述第一室内的压力减小到处理压力，对所述基板进行第一处理；把所述基板卸到所述第一室的外部，并装到第二室内；把所述第二室内的压力增加到既定压力，并使所述基板的温度稳定；把所述第二室内的压力减小到处理压力，对所述基板进行第二处理；把所述基板卸到所述第二室的外部。

在所述第一室内对所述基板进行第一处理的步骤可以包括以下步骤：在所述第一室内形成电场的状态下，向所述第一室内提供所述处理气体，生成等离子体，并用生成的等离子体对所述基板进行处理。

在所述第二室内对所述基板进行第二处理的步骤还可以包括以下步骤：对所述基板进行加热，去除在所述基板上部表面上形成的处理副产物。

所述处理气体可以包括蚀刻气体或清洗气体。

按照本发明，通过向室内提供气体，使室的内部压力和气体分子的密度增加，利用气体分子可以容易地对晶片W进行温度调节。此外，可以减小晶片W不同区域的温度偏差。特别是用净化气体或处理气体可以容易地调节晶片W的温度。

附图说明

图1是简要表示包括本发明的处理组件(process module)的半导体制造设备的图。

图2是简要表示图1的第一处理组件的图。