[发明专利]功率覆盖结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200810074207.8 | 申请日： | 2008-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101244800A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | S·D·阿瑟;A·埃拉塞尔;J·I·赖特;K·苏布拉马尼安;C·F·凯梅尔;A·V·高达 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;H01H59/00;B81C3/00;B81C5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王小衡 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及功率覆盖结构及其制作方法。本发明的一个实施例包括一种MEMS结构，该MEMS结构进一步包括：MEMS器件(240)，其具有其上带有一个或多个连接到MEMS器件(240)的MEMS元件的接触结构(244、245和246)的第一表面；覆盖第一表面在其中限定了开口的介电层(100)，接触结构(244、245和246)通过该开口被暴露；包含从接触结构(244、245和246)延伸通过介电层(100)中的开口并且到达介电层(100)的表面之上的导电材料(174－179)的图案化的金属化层(254、255和256)；以及与金属化层(254、255和256)热连通的第一热沉(190)。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 覆盖 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS结构，包括：MEMS器件(120/121)，其具有其上带有一个或多个连接到MEMS器件(120/121)的功能元件的接触结构的第一表面；覆盖第一表面在其中限定了开口(118)的介电层(100)，接触结构通过所述开口(118)被暴露；包含从接触结构延伸通过介电层(100)中的开口(118)并且到达介电层(100)的表面之上的导电材料的图案化的金属化层(170)；以及与金属化层(170)热连通的第一热沉(190)。
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