[发明专利]掺钕钨酸锂钡钆激光晶体及其制备方法和用途

摘要

本发明涉及激光晶体掺钕钨酸锂钡钆及其制备方法和用途。采用30～60at％Li₂WO₄为助熔剂，降温速率为0.5～2℃/天，转速为5～30转/分钟，生长出了高质量、较大尺寸晶体。该晶体属单斜晶系，具有C2/c空间群结构。Nd³⁺:Li₃Ba₂Gd₃(WO₄)₈晶体的主吸收峰在804nm，其半峰宽为19nm，吸收跃迁截面为5.37×10^－20cm²，适合于采用AsGaAl半导体激光来进行泵浦；在850nm－1400nm处有一个非常宽的发射带，其中发射峰1064nm的发射跃迁截面为12.08×10^－20cm²，荧光寿命为0.153ms，易于产生波长为1064nm的激光输出。

主权项

1.一种掺钕钨酸锂钡钆激光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为Nd³⁺:Li₃Ba₂Gd₃(WO₄)₈，属于单斜晶系，具有C2/c空间群，晶胞参数为c＝19.204，β＝91.928°D_c＝7.147g/cm³。