[发明专利]纳米聚焦X射线组合透镜的制作方法有效

专利信息
申请号: 200810059020.0 申请日: 2008-01-07
公开(公告)号: CN101221829A 公开(公告)日: 2008-07-16
发明(设计)人: 董文;乐孜纯;梁静秋 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: G21K1/06 分类号: G21K1/06
代理公司: 杭州天正专利事务所有限公司 代理人: 王兵;袁木棋
地址: 310014*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 纳米聚焦X射线组合透镜的制作方法,包括步骤如下:(A)用电子束刻蚀技术制作玻璃基底金属铬材料的光刻掩模版;(B)对硅衬底进行常规清洁处理;(C)在经步骤(B)处理的硅衬底表面自旋涂覆一层厚度为1-3微米的普通紫外负性光刻胶;(D)使用步骤(A)制成的光刻掩模版;(E)在光刻胶图形结构上生长一层厚度为100-250纳米的铝金属薄膜;(F)去除光刻胶膜,形成与步骤(A)制成的光刻掩模版图形结构相同的铝材料图形结构;(G)进行深度硅材料刻蚀,制成硅材料一维纳米聚焦X射线组合透镜。
搜索关键词: 纳米 聚焦 射线 组合 透镜 制作方法
【主权项】:
1.纳米聚焦X射线组合透镜的制作方法,其工艺步骤如下:(A)用电子束刻蚀技术制作玻璃基底金属铬材料的光刻掩模版,所述光刻掩模版图形为,由多个依次同轴排布的组合透镜折射单元组成,所述折射单元由通孔状空气隙与透镜主体材料一起构成,所述空气隙的截面形状为椭圆形,所述空气隙对应椭圆短轴方向的最大口径尺寸小于椭圆短轴尺寸,所述透镜单元的椭圆形空气隙的长轴位于同一直线上,所述空气隙对应的椭圆尺寸逐渐减小,由大到小顺序排列;(B)对硅衬底进行常规清洁处理;(C)在经步骤(B)处理的硅衬底表面自旋涂覆一层厚度为1-3微米的普通紫外负性光刻胶;(D)对涂覆好的紫外负性光刻胶进行曝光、显影、坚膜,使用步骤(A)制成的光刻掩模版,形成与步骤(A)制成的光刻掩模版图形结构相反的光刻胶图形结构;(E)在光刻胶图形结构上生长一层厚度为100-250纳米的铝金属薄膜,作为深度刻蚀硅的保护层;(F)去除光刻胶膜,形成与步骤(A)制成的光刻掩模版图形结构相同的铝材料图形结构;(G)进行深度硅材料刻蚀,刻蚀深度按所设计的一维纳米聚焦X射线组合透镜的厚度设定,范围在30-60微米,制成硅材料一维纳米聚焦X射线组合透镜。
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