[发明专利]一种用于半导体加工反应腔室的密封结构有效
申请号: | 200810057930.5 | 申请日: | 2008-02-21 |
公开(公告)号: | CN101515538A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | 张风港 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;C23C16/44;C23F4/00;H01J37/32;B01J3/03 |
代理公司: | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王昭林;崔 华 |
地址: | 100016北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种用于半导体加工反应腔室的密封结构,包括相互连接并共同组成反应腔室的盖板、腔室侧壁和静电卡盘,在所述腔室侧壁与盖板和/或静电卡盘的连接处设有卡件,卡件上设有密封件,在所述腔室侧壁与盖板或静电卡盘的连接处还设有至少一处曲面连接部,所述曲面连接部和所述连接处之间呈0~90度角。由于本发明通过改变真空端密封面之间缝隙的形状,使得缝隙的长度得到加长,即:延长了化学气体及等离子体到密封圈的路径,从而降低了到达密封圈的化学气体及等离子体的量,同时曲折的形状大大增加了化学气体及等离子体通过的难度,从而延长了密封圈的寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 半导体 加工 反应 密封 结构 | ||
【主权项】:
1、一种用于半导体加工反应腔室的密封结构,包括相互连接并共同组成反应腔室(10)的盖板(20)、腔室侧壁(2)和静电卡盘(60),在所述腔室侧壁(2)与盖板(20)和/或静电卡盘(60)的连接处(30)设有卡件(3),卡件(3)上设有密封件(4),其特征在于:在所述腔室侧壁(2)与盖板(20)或静电卡盘(60)的连接处(30)还设有至少一处曲面连接部(5),所述曲面连接部(5)和所述连接处(30)之间的角度大于0度小于90度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810057930.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造