[发明专利]制备ONO结构的方法无效
| 申请号： | 200810043277.7 | 申请日： | 2008-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101567312A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 杨华;吕煜坤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备ONO结构的方法，包括如下步骤：(1)在硅基板上依次淀积下层氧化膜、中间层氮氧化膜和上层氧化膜，形成ONO薄膜，在形成的ONO薄膜上再淀积氮化膜；(2)在氮化膜上涂敷抗反射涂层和光刻胶，然后利用光刻工艺曝出需刻蚀的位置；(3)在需刻蚀的位置上进行等离子刻蚀，并停止于的下层氧化膜上；(4)去除残余光刻胶和抗反射涂层；(5)进一步用湿法腐蚀工艺刻蚀下层氧化膜；(6)用湿法腐蚀工艺去除剩余的氮化膜，形成ONO结构。本发明可以消除光刻胶剥离问题，可以保证刻蚀均匀性，有效控制侧向刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 ono 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备ONO结构的方法；其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅基板上依次淀积下层氧化膜、中间层氮氧化膜和上层氧化膜，形成ONO薄膜，在形成的ONO薄膜上再淀积一层氮化膜；(2)在所述氮化膜上涂敷抗反射涂层和光刻胶，然后利用光刻工艺曝出需刻蚀的位置；(3)在所述需刻蚀的位置上进行等离子刻蚀，并停止于所述的下层氧化膜上；(4)去除残余光刻胶和抗反射涂层；(5)进一步用湿法腐蚀工艺刻蚀下层氧化膜；(6)用湿法腐蚀工艺去除剩余的氮化膜，形成ONO结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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