[发明专利]制备ONO结构的方法无效
| 申请号： | 200810043277.7 | 申请日： | 2008-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101567312A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 杨华;吕煜坤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 ono 结构 方法 | ||
1、一种制备ONO结构的方法；其特征在于，包括如下步骤：
(1)在硅基板上依次淀积下层氧化膜、中间层氮氧化膜和上层氧化膜，形成ONO薄膜，在形成的ONO薄膜上再淀积一层氮化膜；
(2)在所述氮化膜上涂敷抗反射涂层和光刻胶，然后利用光刻工艺曝出需刻蚀的位置；
(3)在所述需刻蚀的位置上进行等离子刻蚀，并停止于所述的下层氧化膜上；
(4)去除残余光刻胶和抗反射涂层；
(5)进一步用湿法腐蚀工艺刻蚀下层氧化膜；
(6)用湿法腐蚀工艺去除剩余的氮化膜，形成ONO结构。
2、如权利要求1所述的制备ONO结构的方法，其特征在于，所述的氮化膜的厚度小于200埃。
3、如权利要求1所述的制备ONO结构的方法，其特征在于，步骤(4)采用等离子灰化工艺或硫酸双氧水剥离的方式去除残余光刻胶和抗反射层。
4、如权利要求3所述的制备ONO结构的方法，其特征在于，所述的硫酸双氧水的比例可以控制在体积比2∶1到20∶1，温度为110℃到160℃。
5、如权利要求4所述的制备ONO结构的方法，其特征在于，光刻胶去除后可以增加温度低于45℃的氨水双氧水清洗，其中氨水、双氧水与水的体积比为1∶1∶5到1∶2∶60。
6、如权利要求1所述的制备ONO结构的方法，其特征在于，步骤(5)采用氧化膜刻蚀速率30埃/min的氧化物刻蚀缓冲液进行湿法腐蚀。
7、如权利要求1所述的制备ONO结构的方法，其特征在于，步骤(6)采用热磷酸剥离剩余的氮化膜，所述磷酸的处理温度为140℃到160℃，过刻蚀为100％。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810043277.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：芯片卡盘
- 下一篇：一种用于无极灯的热管型耦合棒
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
