[发明专利]系统级封装的方法有效
| 申请号： | 200810041828.6 | 申请日： | 2008-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101656217A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 黄河;高大为;蒲贤勇;陈轶群;刘伟;谢红梅;杨广立;钟旻 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种系统级封装方法，包括：在第一晶圆上形成通孔；在第一晶圆上及通孔内侧形成第一绝缘介质层；在第二晶圆上形成第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层中包括贯穿第二绝缘介质层的焊盘；将第一绝缘介质层与第二绝缘介质层进行键合，使第一晶圆中的通孔与第二晶圆上的焊盘一一对应；减薄第一晶圆至通孔穿透第一晶圆；在第一晶圆中的通孔内填充满导电材料，与第二晶圆上的焊盘电连接。本发明便于将通孔与焊盘对准；减少了热量的产生，同时压应力也减小，提高了半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 系统 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种系统级封装的方法，其特征在于，包括：在第一晶圆上形成通孔；在第一晶圆上及通孔内侧形成第一绝缘介质层；在第二晶圆上形成第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层中包括贯穿第二绝缘介质层的焊盘；将第一绝缘介质层与第二绝缘介质层进行键合，使第一晶圆中的通孔与第二晶圆上的焊盘一一对应；减薄第一晶圆至通孔穿透第一晶圆；在第一晶圆中的通孔内填充满导电材料，与第二晶圆上的焊盘电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810041828.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
