[发明专利]电容支撑结构、电容器结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种电容支撑结构、电容器结构及其制作方法，用于解决传统DRAM存储单元电容器电容极板易倒塌问题。该电容支撑结构包括依次位于层间绝缘层上的第一阻挡层，中间介质层和第二阻挡层；贯通所述第二阻挡层，中间介质层和第一阻挡层的电容沟槽，该电容沟槽内用于形成电容器。电容器极板位于电容沟槽侧壁和底部，且高于电容沟槽表面。该电容支撑结构握住电容沟槽中的电容器极板，对电容器极板可起到支撑作用，从而可有效解决传统电容器极板在去除模具层后，电容器极板易倒塌的问题。

主权项

1、一种电容支撑结构，位于半导体基底上的层间绝缘层表面，其特征在于，所述电容支撑结构包括依次位于层间绝缘层上的第一阻挡层，中间介质层和第二阻挡层；贯通所述第二阻挡层，中间介质层和第一阻挡层的电容沟槽，所述电容沟槽内用于形成电容器极板。