[发明专利]电容支撑结构、电容器结构及其制作方法

权利要求书

1、一种电容支撑结构，位于半导体基底上的层间绝缘层表面，其特征在于，所述电容支撑结构包括依次位于层间绝缘层上的第一阻挡层，中间介质层和第二阻挡层；贯通所述第二阻挡层，中间介质层和第一阻挡层的电容沟槽，所述电容沟槽内用于形成电容器极板。

2、如权利要求1所述的电容支撑结构，其特征在于，所述层间绝缘层内设置有互连结构，电容沟槽位置与互连结构的位置对应。

3、如权利要求1所述的电容支撑结构，其特征在于，所述第一阻挡层和第二阻挡层材料均为氮化硅。

4、如权利要求1所述的电容支撑结构，其特征在于，所述中间介质层为掺硼掺磷氧化硅。

5、如权利要求1所述的电容支撑结构，其特征在于，所述电容沟槽采用干法蚀刻所述第二阻挡层、中间介质层和第一阻挡层形成。

6、一种电容器结构，其特征在于，包括电容支撑结构以及电容器极板，所述电容支撑结构位于半导体基底上的层间绝缘层表面，包括依次位于层间绝缘层上的第一阻挡层，中间介质层和第二阻挡层以及贯通所述第二阻挡层，中间介质层和第一阻挡层的电容沟槽；电容器极板覆盖电容沟槽的侧壁和底部，且高于电容沟槽表面。

7、如权利要求6所述的电容器结构，其特征在于，所述层间绝缘层内设置有互连结构，电容沟槽位置与互连结构的位置对应。

8、如权利要求6所述的电容器结构，其特征在于，所述第一阻挡层和第二阻挡层材料均为氮化硅。

9、如权利要求6所述的电容器结构，其特征在于，所述中间介质层为掺硼掺磷氧化硅。

10、一种电容器结构的制作方法，其特征在于，它包括以下步骤：a、在半导体基底上的层间绝缘层表面形成第一阻挡层；b、在第一阻挡层表面形成中间介质层；c、在所述中间介质层上形成第二阻挡层；d、在所述第二阻挡层表面形成模具层；e、形成贯通模具层、第二阻挡层、中间介质层和第一阻挡层的电容沟槽；f、在电容沟槽的侧壁和底部形成电容极板，所述电容器极板高于电容沟槽表面；g、去除模具层。

11、如权利要求10所述的电容器结构的制作方法，其特征在于，所述层间绝缘层内设置有互连结构，电容沟槽位置与互连结构的位置对应。

12、如权利要求10所述的电容器结构的制作方法，其特征在于，所述中间介质层材料与所述模具层材料相异。

13、如权利要求12所述的电容器结构的制作方法，其特征在于，所述中间介质层为掺磷掺硼氧化硅，所述模具层为正硅酸四乙酯。

14、如权利要求10所述的电容器结构的制作方法，其特征在于，所述步骤e形成的电容沟槽是采用干法蚀刻所述模具层、第二阻挡层、中间介质层和第一阻挡层形成。

15、如权利要求10所述的电容器结构的制作方法，其特征在于，所述形成的第一阻挡层和第二阻挡层材料均为氮化硅。

16、如权利要求10所述的电容极板制作方法，其特征在于，所述步骤f形成的电容极板的材料为多晶硅，所述多晶硅电容极板表面制作有半球型多晶硅晶粒。

17、如权利要求16所述的电容极板制作方法，其特征在于，所述步骤f包括形成电容极板步骤和化学机械抛光步骤；在所述步骤e形成的具有电容沟槽的结构表面形成具有半球形多晶硅晶粒的多晶硅电极板；化学机械抛光去除电容沟槽以外的多晶硅电极板，保留电容沟槽侧壁及底部形成的多晶硅电极板。