[发明专利]HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO2纳米掩膜及方法有效
| 申请号： | 200810040201.9 | 申请日： | 2008-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101320686A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 王新中;于广辉;林朝通;曹明霞;巩航;齐鸣;李爱珍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振黡 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种氢化物气相外延生长氮化镓膜中采用二氧化硅纳米粒子点阵掩膜及其制备方法，其特征在于采用了SiO2纳米粒子点阵作为GaN横向外延过生长的掩膜。先在GaN模板上电子束蒸发一层金属Al，再采用电化学的方法生成多孔状阳极氧化铝(AAO)，接着沉积一层介质SiO2层，然后用酸或碱溶液去除AAO，这样就在GaN模板上得到了SiO2纳米粒子的点阵分布，经过清洗后，最后把这个模板作为衬底，置于HVPE反应腔内生长GaN厚膜。本发明不仅大大简化了光刻制作掩膜的工艺，而且将掩膜尺寸缩小到纳米量级，金属Al和SiO2层均可采用电子束蒸发、溅射等方法来制备，适合于批量生产时采用。 | ||
| 搜索关键词： | hvpe 方法 生长 氮化 中的 sio sub 纳米 | ||
【主权项】：
1、一种氢化物气相外延生长氮化镓膜中的二氧化硅纳米点阵掩膜，其特征在于所述的氧化硅纳米点阵作为GaN横向外延过生长的掩膜，它是沉积在规则的网状多孔阳极氧化铝薄膜上；然后用酸溶液去除网状多孔阳极氧化铝薄膜形成的；所述的网状多孔阳极氧化铝薄膜是由沉积在作为模板的GaN外延层上蒸发的金属铝薄层，经电化学腐蚀和酸性溶液浸泡形成的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810040201.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
