[发明专利]一种选择性刻蚀硅纳米线的方法无效
| 申请号： | 200810036672.2 | 申请日： | 2008-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101266919A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 万丽娟;龚文莉;陶伯睿;蒋珂玮;李辉麟;张健 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/28;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴泽群 |
| 地址： | 200062*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明针对现有技术所存在的缺陷和市场需求，公开了一种选择性刻蚀硅纳米线的方法，其包括以下顺序步骤：a)采用“自上而下”的标准微电子加工工艺在硅片表面开窗口；b)采用“自下而上”的非电镀化学沉积的方法在开窗口的硅片表面刻蚀硅纳米线。与现有技术相比，本发明的选择性刻蚀硅纳米线的方法既能够制作出任何想要的图形，又能够获得尺寸规则、排布均匀的硅纳米线阵列，而且工艺简单可靠、成本低、可批量生产，实现了工业化制作硅纳米线电极的目的，为制备多种以硅纳米线为基础的纳机电器件奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 刻蚀 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种选择性刻蚀硅纳米线的方法，其特征在于，其包括以下顺序步骤：a)采用“自上而下”的标准微电子加工工艺在硅片表面开窗口；b)采用“自下而上”的非电镀化学沉积的方法在开窗口的硅片表面刻蚀硅纳米线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
