[发明专利]一种选择性刻蚀硅纳米线的方法

权利要求书

1.一种选择性刻蚀硅纳米线的方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：

a)采用“自上而下”的微电子加工工艺在硅片表面开窗口

①掩模-首先，采用氧化的方法在硅片的正反两面分别热氧一层二氧化硅，厚度为其次，利用常压化学气相沉积的方法在硅片的两面蒸镀氮化硅，厚度为

②用光刻技术将掩模版上的图形转移到硅片表面；

③用等离子体去除硅片一面的氮化硅；

④用二氧化硅刻蚀剂去除二氧化硅；

b)采用“自下而上”的非电镀化学沉积的方法在开窗口的硅片表面刻蚀硅纳米线

①将开好窗口的硅片浸入刻蚀溶液中，在常温常压下处理60分钟；

②取出，用发烟硝酸除去表面的银；

③用去离子水清洗；

④室温下晾干；

所述刻蚀溶液为35mM的硝酸银和20％氢氟酸水溶液的混合溶液，所述20％氢氟酸水溶液是指氢氟酸和去离子水的体积比为1∶4的水溶液。