[发明专利]晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 200810036659.7 | 申请日： | 2008-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101567319A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 翟 羽 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管的制造方法，包括如下步骤：提供具有第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底表面制作阻挡层，界定源极和漏极区域；采用第一组注入能量和注入剂量参数，将掺杂离子注入半导体衬底中的源极和漏极区域；采用第二组注入能量和注入剂量参数，将轰击离子注入源极和漏极区域；采用第三组注入能量和注入剂量参数，将掺杂离子注入源极和漏极区域，还包括采用第四组注入能量和注入剂量参数，将掺杂离子注入栅堆叠结构的多晶硅层。本发明的优点在于，在保证掺杂离子得到充分扩散的情况下，可以降低晶体管结寄生电容和漏电电流，并且可以改善半导体衬底同后续金属层之间的欧姆接触性质。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供具有第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底表面制作阻挡层，界定源极和漏极区域；采用第一组注入能量和注入剂量参数，将掺杂离子注入半导体衬底中的源极和漏极区域，在半导体衬底内形成具有第二导电类型的源极和漏极区域；采用第二组注入能量和注入剂量参数，将轰击离子注入半导体衬底中的源极和漏极区域；采用第三组注入能量和注入剂量参数，将掺杂离子注入半导体衬底的源极和漏极区域，所述第三组注入能量参数值小于第一组的注入能量参数值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
