[发明专利]晶体管的制造方法无效
申请号: | 200810036659.7 | 申请日: | 2008-04-25 |
公开(公告)号: | CN101567319A | 公开(公告)日: | 2009-10-28 |
发明(设计)人: | 赵猛 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/265 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) | 代理人: | 翟 羽 |
地址: | 201210*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 制造 方法 | ||
1.一种晶体管的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供具有第一导电类型的半导体衬底;
在半导体衬底表面制作阻挡层,界定源极和漏极区域;
采用第一组注入能量和注入剂量参数,将掺杂离子注入半导体衬底中的源极和漏极区域,在半导体衬底内形成具有第二导电类型的源极和漏极区域;
采用第二组注入能量和注入剂量参数,将轰击离子注入半导体衬底中的源极和漏极区域;
采用第三组注入能量和注入剂量参数,将掺杂离子注入半导体衬底的源极和漏极区域,所述第三组注入能量参数值小于第一组的注入能量参数值。
2.根据权利要求1所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述第三组注入剂量参数值大于第一组的注入剂量参数值。
3.根据权利要求1所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述半导体衬底表面具有栅堆叠结构,所述栅堆叠结构具有位于表面的多晶硅层。
4.根据权利要求3所述的晶体管的制造方法,其特征在于,还包括如下步骤:
采用第四组注入能量和注入剂量参数,将掺杂离子注入栅堆叠结构的多晶硅层,所述第四组注入能量参数值小于第三组的注入能量参数值。
5.根据权利要求4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述掺杂离子除了注入栅堆叠结构的多晶硅层之外,还注入半导体衬底中的源极和漏极区域。
6.根据权利要求4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述第四组注入剂量参数值大于第三组的注入剂量参数值。
7.根据权利要求4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述第四组参数的注入能量值为5keV~1keV,注入剂量值为1×1015cm-2~3×1015cm-2。
8.根据权利要求1或4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述轰击离子的原子序数大于掺杂离子。
9.根据权利要求1或4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述轰击离子同掺杂离子具有相同的导电类型。
10.根据权利要求1或4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述半导体衬底为单晶硅衬底。
11.根据权利要求1或4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述第一导电类型为P型,第二导电类型为N型。
12.根据权利要求1或4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述掺杂离子为磷离子。
13.根据权利要求1或4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述第一组参数的注入能量值为40keV~10keV,注入剂量值为1×1013cm-2~1×1014cm-2。
14.根据权利要求1或4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述第三组参数的注入能量值为20keV~3keV,注入剂量值为3×1014cm-2~2×1015cm-2。
15.根据权利要求1或4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述轰击离子为砷离子。
16.根据权利要求1或4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述第二组参数的注入能量值为10keV~40keV,注入剂量值为1.5×1015cm-2~6×1015cm-2。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造