[发明专利]晶体管的制造方法无效

专利信息
申请号: 200810036659.7 申请日: 2008-04-25
公开(公告)号: CN101567319A 公开(公告)日: 2009-10-28
发明(设计)人: 赵猛 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L21/265
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 代理人: 翟 羽
地址: 201210*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 晶体管 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种晶体管的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:

提供具有第一导电类型的半导体衬底;

在半导体衬底表面制作阻挡层,界定源极和漏极区域;

采用第一组注入能量和注入剂量参数,将掺杂离子注入半导体衬底中的源极和漏极区域,在半导体衬底内形成具有第二导电类型的源极和漏极区域;

采用第二组注入能量和注入剂量参数,将轰击离子注入半导体衬底中的源极和漏极区域;

采用第三组注入能量和注入剂量参数,将掺杂离子注入半导体衬底的源极和漏极区域,所述第三组注入能量参数值小于第一组的注入能量参数值。

2.根据权利要求1所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述第三组注入剂量参数值大于第一组的注入剂量参数值。

3.根据权利要求1所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述半导体衬底表面具有栅堆叠结构,所述栅堆叠结构具有位于表面的多晶硅层。

4.根据权利要求3所述的晶体管的制造方法,其特征在于,还包括如下步骤:

采用第四组注入能量和注入剂量参数,将掺杂离子注入栅堆叠结构的多晶硅层,所述第四组注入能量参数值小于第三组的注入能量参数值。

5.根据权利要求4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述掺杂离子除了注入栅堆叠结构的多晶硅层之外,还注入半导体衬底中的源极和漏极区域。

6.根据权利要求4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述第四组注入剂量参数值大于第三组的注入剂量参数值。

7.根据权利要求4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述第四组参数的注入能量值为5keV~1keV,注入剂量值为1×1015cm-2~3×1015cm-2

8.根据权利要求1或4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述轰击离子的原子序数大于掺杂离子。

9.根据权利要求1或4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述轰击离子同掺杂离子具有相同的导电类型。

10.根据权利要求1或4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述半导体衬底为单晶硅衬底。

11.根据权利要求1或4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述第一导电类型为P型,第二导电类型为N型。

12.根据权利要求1或4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述掺杂离子为磷离子。

13.根据权利要求1或4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述第一组参数的注入能量值为40keV~10keV,注入剂量值为1×1013cm-2~1×1014cm-2

14.根据权利要求1或4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述第三组参数的注入能量值为20keV~3keV,注入剂量值为3×1014cm-2~2×1015cm-2

15.根据权利要求1或4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述轰击离子为砷离子。

16.根据权利要求1或4所述的晶体管的制造方法,其特征在于,所述第二组参数的注入能量值为10keV~40keV,注入剂量值为1.5×1015cm-2~6×1015cm-2

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810036659.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top