[发明专利]具有轻掺杂漏极的晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 200810036655.9 | 申请日： | 2008-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101567317A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 翟 羽 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种具有轻掺杂漏极的晶体管的制造方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅堆叠结构；在半导体衬底表面制作注入阻挡层，界定预形成轻掺杂漏极区域的位置；将第一掺杂离子注入半导体衬底中，形成轻掺杂漏极区域；在栅堆叠结构侧面制作侧墙；将第二掺杂离子注入半导体衬底中的轻掺杂漏极区域；对半导体衬底进行退火处理。半导体衬底表面的掺杂浓度呈梯度分布，半导体衬底表面掺杂浓度的梯度分布进一步引起表面电场呈梯度分布，使表面电场的分布变得相对平缓，提高晶体管对电压的耐受能力，降低表面电场强度的最大值，从而可以降低晶体管在关断状态下的漏电电流值。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有轻掺杂漏极区域的晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅堆叠结构；在半导体衬底表面制作注入阻挡层，界定预形成轻掺杂漏极区域的位置；将第一掺杂离子注入半导体衬底中，形成轻掺杂漏极区域；在栅堆叠结构侧面制作侧墙；将第二掺杂离子注入半导体衬底中的轻掺杂漏极区域；对半导体衬底进行退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
