[发明专利]一种可减小等离子体损伤效应的MOS管有效
| 申请号： | 200810035898.0 | 申请日： | 2008-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101556966A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 陆黎明;赵永 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可减小等离子体损伤效应的MOS管，制作在硅衬底上，具有栅源漏极及分别与栅极和硅衬底连接的栅极金属垫和衬底金属垫。现有技术仅在栅极金属垫中设置金属跳线，当最小特征尺寸和栅氧厚度不断减小时，衬底金属垫上的等离子体损伤效应对MOS管的质量和可靠性的不良影响越来越大。本发明中的栅极金属垫从其第一层导线处分离为上下两部分，且其第一层导线分离为分别与上下两部分连接的第一和第二导线段，第一金属跳线跨设在该第一和第二导线段间，该衬底金属垫从其第一层导线处分离为上下两部分，且其第一层导线分离为分别与上下两部分连接的第三和第四导线段，第二金属跳线跨设在该第三和第四导线段间。本发明可大大提高MOS管的质量和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 等离子体 损伤 效应 mos | ||
【主权项】：
1、一种可减小等离子体损伤效应的MOS管，制作在硅衬底上，其具有栅源漏极以及设置在金属层中且分别与栅极和硅衬底连接的栅极金属垫和衬底金属垫，该栅极金属垫从其第一层导线处分离为上下两部分，且其第一层导线分离为分别与该上下两部分连接的第一和第二导线段，第一金属跳线跨设在该第一和第二导线段间，其特征在于，该衬底金属垫从其第一层导线处分离为上下两部分，且其第一层导线分离为分别与该上下两部分连接的第三和第四导线段，第二金属跳线跨设在该第三和第四导线段间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810035898.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
