[发明专利]一种可减小等离子体损伤效应的MOS管有效
| 申请号： | 200810035898.0 | 申请日： | 2008-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101556966A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 陆黎明;赵永 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减小 等离子体 损伤 效应 mos | ||
1.一种可减小等离子体损伤效应的MOS管，制作在硅衬底上，其具有栅源漏极以及设置在金属层中且分别与栅极和硅衬底连接的栅极金属垫和衬底金属垫，该栅极金属垫包括第一层导线、第二层导线至顶层导线，该栅极金属垫从其第一层导线处分离为上下两部分，且其第一层导线分离为第一和第二导线段，第一金属跳线跨设在该第一和第二导线段间，该第一导线段与该栅极金属垫的第二层导线连接，该第二导线段通过该第一金属跳线与该第一导线段连接，其特征在于，该衬底金属垫包括第一层导线、第二层导线至顶层导线，该衬底金属垫从其第一层导线处分离为上下两部分，且其第一层导线分离为第三和第四导线段，第二金属跳线跨设在该第三和第四导线段间，该第三导线段与该衬底金属垫的第二层导线连接，该第四导线段通过该第二金属跳线与该第三导线段连接。
2.如权利要求1所述的可减小等离子体损伤效应的MOS管，其特征在于，该栅极金属垫和衬底金属垫的第一层导线均位于金属层的第一层金属中，且该栅极金属垫和衬底金属垫具有相同数量的导线层。
3.如权利要求1所述的可减小等离子体损伤效应的MOS管，其特征在于，该第一、第二金属跳线的第一层导线均位于金属层的第二层金属中，且该第一、第二金属跳线具有相同数量的导线层。
4.如权利要求1所述的可减小等离子体损伤效应的MOS管，其特征在于，该栅极金属垫、衬底金属垫以及第一、第二金属跳线的顶层导线均位于金属层的顶层金属层中。
5.如权利要求1所述的可减小等离子体损伤效应的MOS管，其特征在于，该第一金属跳线的顶层导线为一一体金属导线，其余层导线均为分隔开且分别设置在第一导线段和第二导线段上的两分离导线。
6.如权利要求1所述的可减小等离子体损伤效应的MOS管，其特征在于，该第二金属跳线的顶层导线为一一体金属导线，其余层导线均为分隔开且分别设置在第三导线段和第四导线段上的两分离导线。
7.如权利要求1所述的可减小等离子体损伤效应的MOS管，其特征在于，该栅极金属垫、衬底金属垫、第一金属跳线和第二金属跳线所具有的导线层间均通过接触孔插塞层连接。
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