[发明专利]高密度相变存储器的结构与制备的工艺

摘要

本发明涉及到相变存储芯片(PCRAM)的高密度相变存储单元结构、三维电路设计布局与制造工艺流程。本发明为了实现PCRAM芯片存储阵列的高密度，通过三维立体布局设计，把基于CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺的外围电路放在存储阵列的下面，上述外围电路晶片通过CMP(化学机械抛光)工艺实现平坦化。对P型或N型硅片进行外延技术形成N/P(或P/N)结，通过对准装置实现该硅片与上述CMOS硅片的低温键合，通过晶片剥离技术或背面减薄的技术实现CMOS片上的整片N/P(或P/N)结，接着在其之上制备可逆相变电阻，之后采用Cu互联，最后通过常规的封装技术实现整个芯片；从而整体实现三维立体1R1D芯片结构。

主权项

1.一种高密度相变存储器的结构，包括行译码器、列译码器、字线、位线、驱动电路和灵敏放大器，逻辑控制电路，其特征在于所述的相变存储芯片基于三维芯片结构，上层为存储阵列，存储阵列之下方为外围控制电路；外围控制电路产生的控制信号，通过字线、通孔和位线的互连线，定位控制某一存储单元。