[发明专利]化学气相沉积合成无金属催化剂自组生长碳纳米管的方法无效
| 申请号： | 200810031235.1 | 申请日： | 2008-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101270470A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 唐元洪;李晓川;林良武;徐海峰;黄伯云 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/52 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 | 代理人： | 颜勇 |
| 地址： | 410083湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化学气相沉积合成无金属催化剂自组生长碳纳米管的方法，其特征在于：在载气的保护下，先将卧式真空管式高温炉升温到940℃～980℃并保温，再通入碳源气体和载气的混合气，碳源气体的分解产物在该高温炉的低温区衬底上沉积，形成自组生长碳纳米管；所述的碳源气体为气态含碳化合物。所述载气为氮气、氢气、氩气之一种或其2种或多种的混合气体。由于不使用金属催化剂，本发明所制得的碳纳米管不含金属催化剂，产物纯度高，制备成本低，有望实现连续生产。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 合成 金属催化剂 生长 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1、一种化学气相沉积合成无金属催化剂自组生长碳纳米管的方法，其特征在于：将碳源气体和载气的混合气通入温度为940℃～980℃的环境中，在无金属催化剂条件下，碳源气体的分解产物在650℃～750℃的衬底上沉积形成自组生长碳纳米管。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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