[发明专利]带静电保护功能的LED芯片及制造方法无效
| 申请号： | 200810030362.X | 申请日： | 2008-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101345235A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 吴俊纬 | 申请（专利权）人： | 广州南科集成电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/488;H01L23/60;H01L23/36;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510663广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种耐高压静电性能好的带静电保护功能的LED芯片及制造方法。芯片包括LED裸芯片和硅衬底，硅衬底上依次生成有导热绝缘层I(41)、导热绝缘层II(42)，导热绝缘层II(42)上沉积有金属层(6)，各LED裸芯片正装或倒装在金属层(6)上，导热绝缘层I(41)与导热绝缘层II(42)之间设有由掺杂的多晶硅构成静电保护二极管区，静电保护二极管区包括多晶硅环I(9)、多晶硅环II(5)，多晶硅环II(5)位于中心圈及最外圈并与多晶硅环I(9)互相间隔嵌套设置，LED裸芯片、静电保护二极管区通过金属层(6)相连接构成静电保护电路。方法包括形成两个导热绝缘层、静电保护二极管区、金属层及封装的步骤。本发明可广泛应用于LED芯片领域。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 保护 功能 led 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种带静电保护功能的LED芯片，包括至少一个LED裸芯片(1)和硅衬底(2)，所述LED裸芯片(1)包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12)，其特征在于：所述硅衬底(2)上生成有导热绝缘层I(41)，所述导热绝缘层I(41)上生成有导热绝缘层II(42)，所述导热绝缘层II(42)上沉积有金属层(6)，各所述LED裸芯片(1)正装或倒装在所述金属层(6)上，所述导热绝缘层I(41)与所述导热绝缘层II(42)之间设有至少一个由掺杂的多晶硅构成的静电保护二极管区，所述静电保护二极管区包括多晶硅环I(9)、多晶硅环II(5)，所述多晶硅环II(5)位于中心圈及最外圈并与所述多晶硅环I(9)互相间隔嵌套设置，位于中心圈及最外圈的所述多晶硅环II(5)分别与两个分离的所述金属层(6)相欧姆连接并由该两个分离的所述金属层(6)分别引出阳极接点(80)和阴极接点(81)，所述LED裸芯片(1)、所述静电保护二极管区通过所述金属层(6)相连接构成静电保护电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州南科集成电子有限公司，未经广州南科集成电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810030362.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
