[发明专利]禁带宽度梯度化MgxZn1－xO光电薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200810029650.3 | 申请日： | 2008-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101320757A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 包定华;陈心满 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L31/0248 | 分类号： | H01L31/0248;H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510275广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种禁带宽度梯度化MgxZn1－xO光电薄膜，是由MgxZn1－xO构成的具有若干层的薄膜，其中x＝0～0.25。本发明还提供了上述薄膜的制备方法，包括以下步骤：制备前驱液；制备MgxZn1－xO薄膜；制备禁带宽度梯度化MgxZn1－xO光电薄膜。本发明提供的禁带宽度梯度化MgxZn1－xO光电薄膜Mg组分沿垂直衬底方向梯度变化，充分保证了不同薄膜层之间的晶格匹配，有利于提高以ZnO为基础的光电器件的性能；能够增加高Mg含量的稳定性，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 宽度 梯度 mg sub zn 光电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种禁带宽度梯度化MgxZn1-xO光电薄膜，其特征在于所述薄膜是由MgxZn1-xO构成的具有若干层的薄膜，x＝0～0.25。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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