[发明专利]一种发光二极管器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810026797.7 | 申请日： | 2008-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101257075A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 樊邦弘;翁新川 | 申请（专利权）人： | 鹤山丽得电子实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529728广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管器件及其制造方法。该发光二极管器件包括：基板；设置在基板上的n型半导体层；设置于n型半导体层上的发光层；设置于发光层上的p型半导体层；和设置于p型半导体层上的透明电极层。其中该透明电极层的上表面具有多个凹凸形的微结构。根据本发明，减少或避免了由于全反射造成的光损耗，提高了发光二极管的外部光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管器件，包括：基板；设置在基板上的n型半导体层；设置于部分的n型半导体层上的发光层；设置于发光层上的p型半导体层；设置于p型半导体层上的透明电极层；设置于透明电极层上的阳极；以及设置于部分的n型半导体层上的阴极；其中该透明电极层的上表面具有多个凹凸形的微结构。
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