[发明专利]一种发光二极管器件及其制造方法

权利要求书

1、一种发光二极管器件，包括：

基板；

设置在基板上的n型半导体层；

设置于部分的n型半导体层上的发光层；

设置于发光层上的p型半导体层；

设置于p型半导体层上的透明电极层；

设置于透明电极层上的阳极；以及

设置于部分的n型半导体层上的阴极；

其中该透明电极层的上表面具有多个凹凸形的微结构。

2、根据权利要求1所述的发光二极管器件，其中该透明电极的下表面具有多个凹凸形的微结构。

3、根据权利要求1所述的发光二极管器件，其中该透明电极的厚度为0.2微米至0.8微米。

4、一种发光二极管器件，包括：

基板；

设置在基板上的n型半导体层；

设置于部分的n型半导体层上的发光层；

设置于发光层上的p型半导体层；

设置于p型半导体层上的透明电极层；

设置于透明电极层上的阳极；以及

设置于部分的n型半导体层上的阴极；

其中形成有多个自该透明电极层贯穿至n形半导体层的孔。

5、根据权利要求4所述的发光二极管器件，其中所述孔的间距为2至8微米，孔的深度为1至2微米，且孔的直径为0.2至4微米。

6、一种发光二极管器件的制造方法，包括：

在基板上依次沉积n型半导体层、发光层、p型半导体层；

在p型半导体层形成透明电极层；

采用光刻暨蚀刻工艺构图透明电极层、p型半导体层、发光层和n型半导体层，使得透明电极层、p型半导体层、发光层形成于部分的n型半导体层上；

采用粗化蚀刻剂，通过湿法蚀刻在透明电极层上形成多个凹凸形的微结构。

7、根据权利要求6所述的方法，其中所述粗化蚀刻剂为包括硫酸、抑制剂、表面活性剂和去离子水的混合酸性溶液。

8、根据权利要求6所述的方法，其中在p型半导体层上形成透明电极层之前，可以采用干法或湿法蚀刻工艺粗糙化p型半导体层的上表面，从而在p型半导体层的上表面形成多个凹凸的微结构。

9、根据权利要求6所述的方法，其中该透明电极的厚度为0.2微米至0.8微米。

10、一种发光二极管器件的制造方法，包括：

在基板上依次沉积n型半导体层、发光层、p型半导体层；

在p型半导体层上形成透明电极层；

在透明电极层上涂布光刻胶，采用光刻工艺构图光刻胶，以在部分的透明电极层上形成具有多个孔的光刻胶图案；

利用该光刻胶图案作为蚀刻掩模，利用干法蚀刻来蚀刻透明电极层、p型半导体层、发光层和n型半导体层，从而使得透明电极层、p型半导体层、发光层形成于部分的n型半导体层上，并形成多个自透明电极层贯穿至n型半导体层的孔；以及

去除光刻胶掩模。

11、根据权利要求10的方法，其中该干法蚀刻工艺为电感耦合式反应离子蚀刻。

12、根据权利要求10的方法，其中所述孔的间距为2至8微米，孔的深度为1至2微米，且孔的直径为0.2至4微米。