[发明专利]一种常压低温制备氧化镁部分稳定单斜氧化锆粉末的方法无效
申请号: | 200810012287.4 | 申请日: | 2008-07-14 |
公开(公告)号: | CN101628733A | 公开(公告)日: | 2010-01-20 |
发明(设计)人: | 戴文斌;王新丽;于景坤 | 申请(专利权)人: | 东北大学 |
主分类号: | C01G25/02 | 分类号: | C01G25/02;C04B35/48 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 110004辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及氧化物粉末的制备技术,具体为一种常压低温制备氧化镁部分稳定单斜氧化锆粉末的方法。该方法首先在共沉淀合成氧化锆前驱体的过程中加入添加剂和稳定剂,而后将前驱体在常压下低温煅烧便可获得氧化镁部分稳定单斜氧化锆粉末。本发明的主要特点是在常压低温下煅烧能够获得氧化镁部分稳定单斜氧化锆粉末,且单斜相含量可通过调整煅烧条件、改变稳定剂和添加剂含量来精确控制。 | ||
搜索关键词: | 一种 常压 低温 制备 氧化镁 部分 稳定 单斜 氧化锆 粉末 方法 | ||
【主权项】:
1.一种常压低温制备氧化镁部分稳定单斜氧化锆粉末的方法,包括添加剂的选择,引入方法、添加量以及煅烧条件。其特征在于:1)添加剂的种类:各种含铝、硅、钙、锂等元素的物质,且它们溶解于水后呈中性或者酸性。如Al(NO3)3·9H2O、Ca(NO3)2·4H2O、AlCl3、Na2SiF6、CaCl2、LiCl等。2)添加剂引入方法:利用共沉淀法,在溶解原料的初始阶段加入各种添加剂,使它们均匀分散。3)添加量:要求添加剂各元素的氧化物在煅烧后粉末中的摩尔百分含量分别为Al2O3:0-6%,SiO2:0-5%;CaO:0-5%;Li2O:0-5%。4)煅烧条件:一定温度(300-800℃)下加热一段时间(0-48小时)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东北大学,未经东北大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810012287.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:物化式综合水处理器及使用方法
- 下一篇:双层重选摇床