[发明专利]一种常压低温制备氧化镁部分稳定单斜氧化锆粉末的方法无效
| 申请号： | 200810012287.4 | 申请日： | 2008-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101628733A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 戴文斌;王新丽;于景坤 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C01G25/02 | 分类号： | C01G25/02;C04B35/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110004辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 常压 低温 制备 氧化镁 部分 稳定 单斜 氧化锆 粉末 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种常压低温制备氧化镁部分稳定单斜氧化锆粉末的方法，包括添加剂的选择，引入方法、添加量以及煅烧条件。其特征在于：
1)添加剂的种类：各种含铝、硅、钙、锂等元素的物质，且它们溶解于水后呈中性或者酸性。如Al(NO3)3·9H2O、Ca(NO3)2·4H2O、AlCl3、Na2SiF6、CaCl2、LiCl等。
2)添加剂引入方法：利用共沉淀法，在溶解原料的初始阶段加入各种添加剂，使它们均匀分散。
3)添加量：要求添加剂各元素的氧化物在煅烧后粉末中的摩尔百分含量分别为Al2O3：0-6％，SiO2：0-5％；CaO：0-5％；Li2O：0-5％。
4)煅烧条件：一定温度(300-800℃)下加热一段时间(0-48小时)。
2.根据权利要求1所述的常压低温制备氧化镁部分稳定单斜氧化锆粉末的方法，其特征在于合成粉末中单斜相的含量可通过调整煅烧条件、改变稳定剂和添加剂含量来精确控制。
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