[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 200810008868.0 | 申请日： | 2008-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101232068A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 橘浩一;名古肇;斎藤真司;布上真也;波多腰玄一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体发光元件，包括：由III－V族半导体形成的{0001}n型半导体衬底，其相对于<1－100>方向的倾斜角在0°到45°的范围内，其相对于<11－20>方向的倾斜角在0°到10°的范围内；在所述n型半导体衬底上由III－V族半导体形成的n型层；在所述n型层之上由III－V族半导体形成的n型引导层；在所述n型引导层之上由III－V族半导体形成的有源层；在所述有源层之上由III－V族半导体形成的p型第一引导层；在所述p型第一引导层之上由III－V族半导体形成的p型接触层；以及在所述p型第一引导层和所述p型接触层之间由III－V族半导体形成的凹凸层。所述凹凸层在其顶面上具有交替且规则设置的凹部和凸部，并具有比所述p型接触层低的p型杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，包括：{0001}n型半导体衬底，由III-V族半导体形成，其相对于<1-100>方向的倾斜角在0°到45°的范围内，其相对于<11-20>方向的倾斜角在0°到10°的范围内；n型层，在所述n型半导体衬底上由III-V族半导体形成；n型引导层，在所述n型层之上由III-V族半导体形成；有源层，在所述n型引导层之上由III-V族半导体形成；p型第一引导层，在所述有源层之上由III-V族半导体形成；p型接触层，在所述p型第一引导层之上由III-V族半导体形成；以及凹凸层，在所述p型第一引导层和所述p型接触层之间由III-V族半导体形成，所述凹凸层在其顶面上具有交替且规则设置的凹部和凸部并具有比所述p型接触层低的p型杂质浓度。
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