[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810008830.3 | 申请日： | 2004-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN101222116A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 畑雅幸;户田忠夫;冈本重之;井上大二朗;别所靖之;野村康彦;山口勤 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物类半导体激光元件的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：在GaN基板上沿元件分离方向以预定的间距配置多个第一元件形成区域；和交替配置多个在劈开方向与所述第一元件形成区域邻接的第二元件形成区域。
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