[发明专利]集成半导体存储装置的制造方法及相应的半导体存储装置

摘要

一种集成半导体存储装置，包括：半导体衬底；多条有源区线，形成在半导体衬底中，每条有源区线包括具有字线接触、位线接触和节点接触的多个存储单元选择晶体管；多个填充绝缘槽，配置在有源区线之间；多个重布线带，每个都将存储单元选择晶体管的相关节点接触从有源区线重布线到相邻的填充绝缘槽以形成相应的重布线节点接触；多条位线，与有源区线对准且在其上延伸，其连接到有源区线的存储单元选择晶体管的位线接触；多条字线，垂直位线延伸，其连接到对应有源区线的存储单元选择晶体管的字线接触；以及多个存储单元电容器，每一个都连接到相关存储单元选择晶体管的重布线节点接触。本发明还提供集成半导体存储装置和存储单元的相应制造方法。

主权项

1.一种集成半导体存储装置的制造方法，包括以下步骤：提供半导体衬底(1)；在所述半导体衬底上形成多条有源区线，每条所述有源区线均包括具有相应字线接触、位线接触和节点接触的多个存储单元选择晶体管；形成多个填充绝缘槽，所述填充绝缘槽配置在所述有源区线之间；形成多个重布线带，每一个重布线带都将存储单元选择晶体管的相关节点接触从有源区线重布线到相邻的填充绝缘槽上方，以形成相应的重布线节点接触；形成与所述有源区线对准且在所述有源区线上延伸的多条位线，所述位线连接到相应的有源区线的存储单元选择晶体管的所述位线接触；形成垂直于所述位线延伸的多条字线，所述字线连接到对应有源区线的所述存储单元选择晶体管的所述字线接触；以及形成多个存储单元电容器，每个所述存储单元电容器都连接到相关存储单元选择晶体管的相应重布线节点接触。