[发明专利]电光装置用基板、其制造方法、电光装置及电子设备无效

专利信息
申请号: 200810005554.5 申请日: 2008-02-15
公开(公告)号: CN101246290A 公开(公告)日: 2008-08-20
发明(设计)人: 石井达也;森肋稔 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/84
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 陈海红;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供电光装置用基板、其制造方法、电光装置及电子设备。能在电光装置中实现较高的开口率,并有效降低TFT中光泄漏电流的发生,且实现显示图像的高清晰化。电光装置用基板具备具有栅电极(3a)的TFT(30),栅电极(3a)具有:主体部(31a),在配置为覆盖半导体层(1a)的绝缘膜(202)的开口部(202h)内相对沟道区域(1a′)通过栅绝缘膜(2)来配置;和延伸设置部(32a),覆盖像素电极侧LDD区域(1c)地从该主体部(31a)延伸设置到绝缘膜(202)上;像素电极侧LDD区域(1c)位于非开口区域(99b)中的第1区域(99ba)及第2区域(99bb)相互交叉的交叉区域(99cr)。
搜索关键词: 电光 装置 用基板 制造 方法 电子设备
【主权项】:
1.一种电光装置用基板,其特征为,在基板上,具备:数据线及扫描线,其相互交叉地延伸;像素电极,其设置于限定为与上述数据线及上述扫描线的交叉处对应的每个像素中;以及晶体管,其具有半导体层及栅电极,该半导体层具有沟道区域、数据线侧源漏区域、像素电极侧源漏区域、第1结区域和第2结区域,该沟道区域在每个上述像素的相互隔着开口区域的非开口区域之中的、沿着第1方向延伸的第1区域,具有沿上述第1方向的沟道长度,该数据线侧源漏区域电连接于上述数据线,该像素电极侧源漏区域电连接于上述像素电极,该第1结区域形成于上述沟道区域及上述数据线侧源漏区域间,该第2结区域形成于上述沟道区域及上述像素电极侧源漏区域间;该栅电极具有主体部和延伸设置部,该主体部在下述开口部内相对上述沟道区域通过栅绝缘膜来配置,该开口部是在覆盖上述半导体层地配置的绝缘膜的、与上述沟道区域重合的部分开口而形成的,该延伸设置部以覆盖上述第2结区域的方式,从该主体部延伸设置到上述绝缘膜上;上述第2结区域位于:上述非开口区域之中的沿着与上述第1方向相交的第2方向延伸的第2区域及上述第1区域相互交叉的交叉区域内。
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