[发明专利]电光装置用基板、其制造方法、电光装置及电子设备

权利要求书

1.一种电光装置用基板，其特征为，

在基板上，具备：

数据线及扫描线，其相互交叉地延伸；

像素电极，其设置于限定为与上述数据线及上述扫描线的交叉处对应的每个像素中；以及

晶体管，其具有半导体层及栅电极，该半导体层具有沟道区域、数据线侧源漏区域、像素电极侧源漏区域、第1结区域和第2结区域，该沟道区域在每个上述像素的相互隔着开口区域的非开口区域之中的、沿着第1方向延伸的第1区域，具有沿上述第1方向的沟道长度，该数据线侧源漏区域电连接于上述数据线，该像素电极侧源漏区域电连接于上述像素电极，该第1结区域形成于上述沟道区域及上述数据线侧源漏区域间，该第2结区域形成于上述沟道区域及上述像素电极侧源漏区域间；该栅电极具有主体部和延伸设置部，该主体部在下述开口部内相对上述沟道区域通过栅绝缘膜来配置，该开口部是在覆盖上述半导体层地配置的绝缘膜的、与上述沟道区域重合的部分开口而形成的，该延伸设置部以覆盖上述第2结区域的方式，从该主体部延伸设置到上述绝缘膜上；

上述第2结区域位于：上述非开口区域之中的沿着与上述第1方向相交的第2方向延伸的第2区域及上述第1区域相互交叉的交叉区域内。

2.根据权利要求1所述的电光装置用基板，其特征为：

上述沟道区域的至少一部分配置于上述第1区域之中的、除上述交叉区域的区域。

3.根据权利要求1或2所述的电光装置用基板，其特征为：

上述扫描线与上述延伸设置部，在同一层采用同一膜来整体形成。

4.根据权利要求1到3中任一项所述的电光装置用基板，其特征为：

上述延伸设置部形成为，在上述交叉区域与上述数据线重合。

5.根据权利要求1到4中任一项所述的电光装置用基板，其特征为：

具备保护膜，该保护膜为了在使上述开口部开设于上述绝缘膜时的腐蚀处理中保护上述沟道区域，形成到比上述半导体层靠上层侧且比上述绝缘膜靠下层侧，之后去除位于上述开口部内的一部分，形成在上述开口部的周围。

6.一种电光装置，其特征为：

具备权利要求1到5中任一项所述的电光装置用基板。

7.一种电子设备，其特征为：

具备权利要求6所述的电光装置。

8.一种电光装置用基板的制造方法，其特征为：

包括下述工序：

在基板上以下述方式形成半导体层，该方式为，使第2结区域位于：非开口区域之中的沿着与第1方向相交的第2方向延伸的第2区域及第1区域相互交叉的交叉区域内，该半导体层具有沟道区域、数据线侧源漏区域、像素电极侧源漏区域、第1结区域和上述第2结区域，该沟道区域在限定为与数据线及扫描线的交叉处对应的每个像素的相互隔着开口区域的上述非开口区域之中的、沿着上述第1方向延伸的上述第1区域，具有沿上述第1方向的沟道长度，该数据线侧源漏区域电连接于数据线，该像素电极侧源漏区域电连接于像素电极，该第1结区域形成于上述沟道区域及上述数据线侧源漏区域间，该第2结区域形成于上述沟道区域及上述像素电极侧源漏区域间；

覆盖上述沟道区域地形成保护膜；

在形成上述保护膜的工序之后，覆盖上述半导体层地形成绝缘膜；

通过对上述绝缘膜的与上述沟道区域重合的部分，实施使用第1腐蚀剂的腐蚀，开设使上述保护膜露出的开口部；

通过对从上述开口部露出的保护膜，实施使用和上述第1腐蚀剂不同的第2腐蚀剂的腐蚀，使上述沟道区域露出；

在上述开口部内的上述露出的沟道区域上形成栅绝缘膜；以及

通过以下述方式形成栅电极来形成晶体管，该方式为，使得该栅电极具有主体部和延伸设置部，该主体部形成于上述开口部内，该延伸设置部以覆盖上述第2结区域的方式，从该主体部延伸设置到上述绝缘膜上；

使用上述第1腐蚀剂的、对上述绝缘膜的腐蚀速率，比使用上述第1腐蚀剂的、对上述保护膜的腐蚀速率大，

使用上述第2腐蚀剂的、对上述保护膜的腐蚀速率，比使用上述第2腐蚀剂的、对上述半导体层的腐蚀速率大，

使用上述第1腐蚀剂的、对上述半导体层的上述腐蚀速率，比使用上述第2腐蚀剂的、对上述半导体层的腐蚀速率大。